STGYA120M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGYA120M65DF2 P1
STGYA120M65DF2 P1
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STMicroelectronics ~ STGYA120M65DF2

Numero di parte
STGYA120M65DF2
fabbricante
STMicroelectronics
Descrizione
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte STGYA120M65DF2
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 160A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Potenza - Max 625W
Cambiare energia 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 420nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 66ns/185ns
Condizione di test 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 202ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3 Exposed Pad
Pacchetto dispositivo fornitore MAX247™

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