STGYA120M65DF2

TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
STGYA120M65DF2 P1
STGYA120M65DF2 P1
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STMicroelectronics ~ STGYA120M65DF2

Numéro d'article
STGYA120M65DF2
Fabricant
STMicroelectronics
La description
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, M S
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article STGYA120M65DF2
État de la pièce Active
Type d'IGBT NPT, Trench Field Stop
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 160A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 360A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.95V @ 15V, 120A
Puissance - Max 625W
Échange d'énergie 1.8mJ (on), 4.41mJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 420nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 66ns/185ns
Condition de test 400V, 120A, 4.7 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) 202ns
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-247-3 Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur MAX247™

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