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| Numero di parte | RZL025P01TR |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 12V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 6V |
| Vgs (massimo) | ±10V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TUMT6 |
| Pacchetto / caso | 6-SMD, Flat Leads |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RZL025P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 | 0 | Dettagli | |
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RZL035P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 | 5456 | Dettagli |