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| Número de pieza | RZL025P01TR |
|---|---|
| Estado de la pieza | Not For New Designs |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 12V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.5A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 6V |
| Vgs (Max) | ±10V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 1W (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 61 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TUMT6 |
| Paquete / caja | 6-SMD, Flat Leads |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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RZL025P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 2.5A TUMT6 | 0 | Detalles | |
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RZL035P01TR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.5A TUMT6 | 5456 | Detalles |