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| Numero di parte | EMD30T2R |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA, 200mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V, 30V |
| Resistore - Base (R1) (Ohm) | 10k, 1k |
| Resistor - Emitter Base (R2) (Ohm) | 10k |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V / 140 @ 100mA, 2V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA / 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | 250MHz, 260MHz |
| Potenza - Max | 150mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | EMT6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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EMD12FHAT2R | Rohm Semiconductor | PNPNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1120070 | Dettagli |
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EMD22FHAT2R | Rohm Semiconductor | PNPNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1161555 | Dettagli |
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EMD22T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | Dettagli | |
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EMD29T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.12W EMT6 | 0 | Dettagli | |
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EMD2FHAT2R | Rohm Semiconductor | PNPNPN DIGITAL TRANSISTOR CORR | - | 1120070 | Dettagli |
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EMD2T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 8000 | Dettagli | |
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EMD30T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | - | 0 | Dettagli |
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EMD3T2R | Rohm Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W EMT6 | 0 | Dettagli | |
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EMD4000B | Amphenol Advanced Sensors | SENSOR HUMIDITY | - | 488 | Dettagli |
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EMD4DXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | - | 120000 | Dettagli |