NTMFS4H013NFT3G

MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
NTMFS4H013NFT3G P1
NTMFS4H013NFT3G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS4H013NFT3G

Numero di parte
NTMFS4H013NFT3G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 35A SO8FL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- NTMFS4H013NFT3G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTMFS4H013NFT3G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 43A (Ta), 269A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3923pF @ 12V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.7W (Ta), 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.9 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN

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