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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
Artikelnummer | NTMFS4H013NFT3G |
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Teilstatus | Active |
FET Typ | N-Channel |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 25V |
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 43A (Ta), 269A (Tc) |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3923pF @ 12V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET-Eigenschaft | - |
Verlustleistung (Max) | 2.7W (Ta), 104W (Tc) |
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 0.9 mOhm @ 30A, 10V |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Lieferantengerätepaket | 5-DFN (5x6) (8-SOFL) |
Paket / Fall | 8-PowerTDFN |