NTHS5404T1G

MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
NTHS5404T1G P1
NTHS5404T1G P1
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ON Semiconductor ~ NTHS5404T1G

Numero di parte
NTHS5404T1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte NTHS5404T1G
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 5.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ChipFET™
Pacchetto / caso 8-SMD, Flat Lead

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