NTHS5404T1G

MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
NTHS5404T1G P1
NTHS5404T1G P1
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ON Semiconductor ~ NTHS5404T1G

Número de pieza
NTHS5404T1G
Fabricante
ON Semiconductor
Descripción
MOSFET N-CH 20V 5.2A CHIPFET
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza NTHS5404T1G
Estado de la pieza Active
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 5.2A (Ta)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 600mV @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 18nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds -
Vgs (Max) ±12V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 30 mOhm @ 5.2A, 4.5V
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor ChipFET™
Paquete / caja 8-SMD, Flat Lead

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