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| Numero di parte | FQT1N60CTF-WS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 2.1W (Tc) |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-223-4 |
| Pacchetto / caso | TO-261-4, TO-261AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQT1N60CTF-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 | - | 221639 | Dettagli |
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FQT1N60CTF_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 | - | 8000 | Dettagli |
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FQT1N80TF-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | - | 141656 | Dettagli |
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FQT1N80TF_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | - | 0 | Dettagli |