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| Número de pieza | FQT1N60CTF-WS |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 600V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.5 Ohm @ 100mA, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 170pF @ 25V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 2.1W (Tc) |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-223-4 |
| Paquete / caja | TO-261-4, TO-261AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQT1N60CTF-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 | - | 221639 | Detalles |
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FQT1N60CTF_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 0.2A SOT-223-4 | - | 8000 | Detalles |
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FQT1N80TF-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | - | 141656 | Detalles |
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FQT1N80TF_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 800V 0.2A SOT-223 | - | 0 | Detalles |