FQB5N60CTM-WS

MOSFET N-CH 600V 4.5A
FQB5N60CTM-WS P1
FQB5N60CTM-WS P1
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ON Semiconductor ~ FQB5N60CTM-WS

Numero di parte
FQB5N60CTM-WS
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
MOSFET N-CH 600V 4.5A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- FQB5N60CTM-WS PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte FQB5N60CTM-WS
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19nC @ 10V
Vgs (massimo) ±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 670pF @ 25V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore D²PAK (TO-263AB)
Pacchetto / caso TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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