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| Numero di parte | FQB5N60CTM_WS |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.5A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 19nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 670pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5 Ohm @ 2.25A, 10V |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D²PAK (TO-263AB) |
| Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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FQB5N15TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 5.4A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N20LTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N20TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 4.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N30TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 300V 5.4A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 4.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N50CFTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N50CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 5A A.D2PAK | - | 800 | Dettagli |
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FQB5N50TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N60CTM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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FQB5N60CTM-WS | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A | - | 79200 | Dettagli |
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FQB5N60CTM_WS | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.5A | 2400 | Dettagli | |
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FQB5N60TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 5A D2PAK | 0 | Dettagli |