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Numero di parte | 2SK4209 |
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Stato parte | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 75nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1500pF @ 30V |
Vgs (massimo) | ±30V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 2.5W (Ta), 190W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.08 Ohm @ 6A, 10V |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-3PB |
Pacchetto / caso | TO-3P-3, SC-65-3 |