2SK4209

MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
2SK4209 P1
2SK4209 P1
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ON Semiconductor ~ 2SK4209

Numéro d'article
2SK4209
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 800V 12A TO-3PB
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article 2SK4209
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 12A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 75nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1500pF @ 30V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 2.5W (Ta), 190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.08 Ohm @ 6A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3PB
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3

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