PSMN6R9-100YSFX

PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
PSMN6R9-100YSFX P1
PSMN6R9-100YSFX P1
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Nexperia USA Inc. ~ PSMN6R9-100YSFX

Numero di parte
PSMN6R9-100YSFX
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
PSMN6R9-100YSF/SOT669/LFPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- PSMN6R9-100YSFX PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte PSMN6R9-100YSFX
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 100A
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 50.3nC @ 10V
Vgs (massimo) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 238W
temperatura di esercizio 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso SC-100, SOT-669

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