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| Numero di parte | PSMN6R3-120ESQ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 120V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 70A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 207.1nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11384pF @ 60V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 405W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.7 mOhm @ 25A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | I2PAK |
| Pacchetto / caso | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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PSMN6R0-25YLB,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R0-25YLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN6R0-25YLD/LFPAK/REEL 7 Q1 | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R0-30YL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 79A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R0-30YLB,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V LFPAK | 1500 | Dettagli | |
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PSMN6R0-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 7A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R1-25MLDX | Nexperia USA Inc. | PSMN6R1-25MLD/MLFPAK/REEL 7 Q | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R1-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 66A LFPAK | 0 | Dettagli | |
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PSMN6R3-120ESQ | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 120V 70A I2PAK | 480 | Dettagli | |
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PSMN6R3-120PS | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 120V 70A TO-220 | 4990 | Dettagli | |
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PSMN6R4-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V MLFP | - | 1500 | Dettagli |
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PSMN6R5-25YLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 25V 64A LL LFPAK | 4500 | Dettagli | |
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PSMN6R5-30MLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V MLFP | - | 0 | Dettagli |