PMZ130UNEYL

MOSFET N-CH 20V SOT883
PMZ130UNEYL P1
PMZ130UNEYL P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMZ130UNEYL

Numero di parte
PMZ130UNEYL
fabbricante
Nexperia USA Inc.
Descrizione
MOSFET N-CH 20V SOT883
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte PMZ130UNEYL
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 1.8A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 1.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 1.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 93pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 150 mOhm @ 1.8A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DFN1006-3
Pacchetto / caso SC-101, SOT-883

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