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| Número de pieza | PMZ130UNEYL |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.8A (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 1.5V, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 1.6nC @ 4.5V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 93pF @ 10V |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 350mW (Ta), 6.25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 150 mOhm @ 1.8A, 4.5V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | DFN1006-3 |
| Paquete / caja | SC-101, SOT-883 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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PMZ1000UN,315 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH SOT883 | 0 | Detalles | |
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PMZ1200UPEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET P-CH 30V SOT883 | 10000 | Detalles | |
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PMZ130UNEYL | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 20V SOT883 | 40000 | Detalles |