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Nexperia USA Inc. ~ BSS192,115

Numero di parte	BSS192,115
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	240V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	200mA (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	2.8V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	90pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	560mW (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SOT-89-3
Pacchetto / caso	TO-243AA

Numero di parte	Produttori	Descrizione	PDF	Disponibile	vista
BSS100	ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 220MA TO92	-	19310	Dettagli
BSS110	ON Semiconductor	MOSFET P-CH 50V 170MA TO92	-	19310	Dettagli
BSS119 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119 E7796	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119 E7978	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119E6327	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119L6327HTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119L6433HTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli
BSS119NH6327XTSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23		3000	Dettagli
BSS119NH6433XTMA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23	-	0	Dettagli
BSS123	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	-	534000	Dettagli
BSS123 E6433	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23		0	Dettagli