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| Número de pieza | BSS192,115 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de FET | P-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 240V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 200mA (Ta) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 1mA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 90pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 560mW (Ta), 12.5W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 12 Ohm @ 200mA, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-89-3 |
| Paquete / caja | TO-243AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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BSS100 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 220MA TO92 | - | 19310 | Detalles |
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BSS110 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 170MA TO92 | - | 19310 | Detalles |
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BSS119 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119 E7796 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119 E7978 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119L6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119L6433HTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles | |
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BSS119NH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | 3000 | Detalles | |
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BSS119NH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 0.19A SOT-23 | - | 0 | Detalles |
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BSS123 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | - | 534000 | Detalles |
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BSS123 E6433 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23 | 0 | Detalles |