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| Numero di parte | SPB160100E3 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Configurazione diodi | 2 Independent |
| Tipo diodo | Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) | 160A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 920mV @ 160A |
| Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5mA @ 100V |
| Temperatura operativa - Giunzione | - |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPB1-48F01-3080-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Dettagli |
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SPB1-48F01-3580-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Dettagli |
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SPB1-48F01-4080-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Dettagli |
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SPB10045E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 45V 100A SOT227 | 0 | Dettagli | |
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SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4000 | Dettagli | |
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SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB100N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | 0 | Dettagli |
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SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Dettagli | |
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SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Dettagli |