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| Número de pieza | SPB160100E3 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Configuración de Diodo | 2 Independent |
| Tipo de diodo | Schottky |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
| Corriente - Rectificado promedio (Io) (por diodo) | 160A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 920mV @ 160A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | - |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 5mA @ 100V |
| Temperatura de funcionamiento - unión | - |
| Tipo de montaje | Chassis Mount |
| Paquete / caja | SOT-227-4, miniBLOC |
| Paquete de dispositivo del proveedor | SOT-227 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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SPB1-48F01-3080-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Detalles |
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SPB1-48F01-3580-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Detalles |
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SPB1-48F01-4080-00 | Opulent Americas | LED LINEAR MODULE PERFORMANCE | - | 9046 | Detalles |
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SPB10045E3 | Microsemi Corporation | DIODE MODULE 45V 100A SOT227 | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S203T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 4000 | Detalles | |
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SPB100N03S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N03S2L-03 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | - | 0 | Detalles |
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SPB100N03S2L03T | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N04S2-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Detalles | |
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SPB100N04S2L-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK | 0 | Detalles |