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Numero di parte | APTSM120AM08CT6AG |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 370A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 200A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Potenza - Max | 2300W |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6 |