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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APTSM120AM08CT6AG |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 N-Channel (Dual), Schottky |
| FET-Eigenschaft | Silicon Carbide (SiC) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 370A (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 200A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 10mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1360nC @ 20V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung max | 2300W |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Paket / Fall | SP6 |
| Lieferantengerätepaket | SP6 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APTSM120AM08CT6AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APTSM120AM09CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APTSM120AM14CD3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APTSM120AM25CT3AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APTSM120AM55CT1AG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |
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APTSM120TAM33CTPAG | Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | 0 | Einzelheiten |