APTGF660U60D4G

IGBT 600V 860A 2800W D4
APTGF660U60D4G P1
APTGF660U60D4G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF660U60D4G

Numero di parte
APTGF660U60D4G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 860A 2800W D4
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte APTGF660U60D4G
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT NPT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 860A
Potenza - Max 2800W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
Corrente - Limite del collettore (max) 500µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 36nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D4
Pacchetto dispositivo fornitore D4

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