APTGF660U60D4G

IGBT 600V 860A 2800W D4
APTGF660U60D4G P1
APTGF660U60D4G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGF660U60D4G

Artikelnummer
APTGF660U60D4G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 600V 860A 2800W D4
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGF660U60D4G.pdf APTGF660U60D4G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer APTGF660U60D4G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ NPT
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 860A
Leistung max 2800W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 800A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 500µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 36nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D4
Lieferantengerätepaket D4

Verwandte Produkte

Alle Produkte