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| Numero di parte | APT26F120B2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 27A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 2.5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 300nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9670pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±30V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 1135W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 650 mOhm @ 14A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | T-MAX™ |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 Variant |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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APT200GN60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W TO247 | - | 60 | Dettagli |
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APT200GN60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | - | 287 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4 | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | - | 15 | Dettagli |
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APT200GN60JDQ4G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT200GN60JG | Microsemi Corporation | IGBT 600V 283A 682W SOT227 | - | 0 | Dettagli |
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APT200GT60JR | Microsemi Corporation | IGBT 600V 195A ISOTOP | - | 0 | Dettagli |
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APT2012CGCK | Kingbright | LED GREEN CLEAR 0805 SMD | 260000 | Dettagli | |
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APT2012EC | Kingbright | LED RED CLEAR 0805 SMD | 86000 | Dettagli | |
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APT2012F3C | Kingbright | EMITTER IR 940NM 50MA 0805 | 6000 | Dettagli | |
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APT2012LSECK/J3-PRV | Kingbright | LED RED CLEAR 0805 SMD | 6000 | Dettagli | |
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APT2012LSECK/J4-PRV | Kingbright | LED ORANGE CLEAR 0805 SMD | 4000 | Dettagli | |
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APT2012LSYCK/J3-PRV | Kingbright | LED YELLOW CLEAR 0805 SMD | 2000 | Dettagli |