APT200GN60B2G

IGBT 600V 283A 682W TO247
APT200GN60B2G P1
APT200GN60B2G P2
APT200GN60B2G P1
APT200GN60B2G P2
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Microsemi Corporation ~ APT200GN60B2G

Numero di parte
APT200GN60B2G
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
IGBT 600V 283A 682W TO247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APT200GN60B2G PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte APT200GN60B2G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 283A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 600A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.85V @ 15V, 200A
Potenza - Max 682W
Cambiare energia 13mJ (on), 11mJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 1180nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 50ns/560ns
Condizione di test 400V, 200A, 1 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore -

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