APT10SCD65KCT

DIODE SILICON 650V 17A TO220
APT10SCD65KCT P1
APT10SCD65KCT P1
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Microsemi Corporation ~ APT10SCD65KCT

Numero di parte
APT10SCD65KCT
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
DIODE SILICON 650V 17A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Diodi - Raddrizzatori - Array
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Numero di parte APT10SCD65KCT
Stato parte Active
Configurazione diodi 1 Pair Common Cathode
Tipo diodo Silicon Carbide Schottky
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 650V
Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) 17A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.8V @ 10A
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) 0ns
Corrente - Perdita inversa @ Vr 200µA @ 650V
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220

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