1214-370M

TRANS RF BIPO 600W 25A 55ST1
1214-370M P1
1214-370M P1
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Microsemi Corporation ~ 1214-370M

Numero di parte
1214-370M
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
TRANS RF BIPO 600W 25A 55ST1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- 1214-370M PDF online browsing
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
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Numero di parte 1214-370M
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 75V
Frequenza - Transizione 1.2GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 8.7dB ~ 9dB
Potenza - Max 600W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 25A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55ST
Pacchetto dispositivo fornitore 55ST

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