1214-370M

TRANS RF BIPO 600W 25A 55ST1
1214-370M P1
1214-370M P1
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Microsemi Corporation ~ 1214-370M

Numéro d'article
1214-370M
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
TRANS RF BIPO 600W 25A 55ST1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 1214-370M PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - RF
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Numéro d'article 1214-370M
État de la pièce Active
Type de transistor NPN
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 75V
Fréquence - Transition 1.2GHz ~ 1.4GHz
Figure de bruit (dB Typ @ f) -
Gain 8.7dB ~ 9dB
Puissance - Max 600W
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 5A, 5V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 25A
Température de fonctionnement 200°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas 55ST
Package de périphérique fournisseur 55ST

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