MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR P1
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

Numero di parte
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
fabbricante
Micron Technology Inc.
Descrizione
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR PDF online browsing
Famiglia
Memoria
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Numero di parte MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
Stato parte Active
Tipo di memoria Non-Volatile
Formato di memoria FLASH, RAM
Tecnologia FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Dimensione della memoria 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Frequenza di clock 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.8V
temperatura di esercizio -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -

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