MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR P1
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR P1
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Micron Technology Inc. ~ MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR

Numéro d'article
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
Fabricant
Micron Technology Inc.
La description
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR PDF online browsing
Famille
Mémoire
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Numéro d'article MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR
État de la pièce Active
Type de mémoire Non-Volatile
Format de la mémoire FLASH, RAM
La technologie FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
Taille mémoire 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
Fréquence d'horloge 533MHz
Écrire un temps de cycle - Word, Page -
Temps d'accès -
Interface de mémoire Parallel
Tension - Alimentation 1.8V
Température de fonctionnement -40°C ~ 85°C (TA)
Type de montage -
Paquet / cas -
Package de périphérique fournisseur -

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