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| Numero di parte | SPU30N03S2L-10 |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 30A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | P-TO251-3 |
| Pacchetto / caso | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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SPU30N03S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A IPAK | 0 | Dettagli | |
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SPU30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO-251 | 0 | Dettagli | |
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SPU30P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A IPAK | 0 | Dettagli |