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| Número de pieza | SPU30N03S2L-10 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de FET | N-Channel |
| Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drene a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 30A (Tc) |
| Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA |
| Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 39.4nC @ 10V |
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1460pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Característica FET | - |
| Disipación de potencia (Máx) | 82W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 30A, 10V |
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete de dispositivo del proveedor | P-TO251-3 |
| Paquete / caja | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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SPU30N03S2-08 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A IPAK | 0 | Detalles | |
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SPU30N03S2L-10 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 30A TO-251 | 0 | Detalles | |
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SPU30P06P | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 30A IPAK | 0 | Detalles |