IRLHS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
IRLHS6342TRPBF P1
IRLHS6342TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLHS6342TRPBF

Numero di parte
IRLHS6342TRPBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
IRLHS6342TRPBF.pdf IRLHS6342TRPBF PDF online browsing
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRLHS6342TRPBF
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1019pF @ 25V
Vgs (massimo) ±12V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore 6-PQFN (2x2)
Pacchetto / caso 6-PowerVDFN

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