IRLHS6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
IRLHS6342TRPBF P1
IRLHS6342TRPBF P1
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Infineon Technologies ~ IRLHS6342TRPBF

Artikelnummer
IRLHS6342TRPBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
IRLHS6342TRPBF.pdf IRLHS6342TRPBF PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRLHS6342TRPBF
Teilstatus Active
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 8.7A (Ta), 19A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.1V @ 10µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1019pF @ 25V
Vgs (Max) ±12V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.1W (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 15.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket 6-PQFN (2x2)
Paket / Fall 6-PowerVDFN

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