IRF7338PBF

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
IRF7338PBF P1
IRF7338PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7338PBF

Numero di parte
IRF7338PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte IRF7338PBF
Stato parte Obsolete
Tipo FET N and P-Channel
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V
Potenza - Max 2W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO

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