IRF7338PBF

MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
IRF7338PBF P1
IRF7338PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF7338PBF

Numéro d'article
IRF7338PBF
Fabricant
Infineon Technologies
La description
MOSFET N/P-CH 12V 6.3A/3A 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article IRF7338PBF
État de la pièce Obsolete
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 6.3A, 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 34 mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 8.6nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 640pF @ 9V
Puissance - Max 2W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Package de périphérique fournisseur 8-SO

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