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| Numero di parte | IRF6718L2TRPBF |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 61A (Ta), 270A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.35V @ 150µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 96nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6500pF @ 13V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 4.3W (Ta), 83W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DIRECTFET L6 |
| Pacchetto / caso | DirectFET™ Isometric L6 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IRF6702M2DTR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6702M2DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6706S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1 | 0 | Dettagli | |
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IRF6706S2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V DIRECTFET S1 | 0 | Dettagli | |
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IRF6708S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV | 0 | Dettagli | |
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IRF6708S2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET-LV | 0 | Dettagli | |
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IRF6709S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 | 0 | Dettagli | |
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IRF6709S2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET-S1 | 0 | Dettagli | |
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IRF6710S2TR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET | 0 | Dettagli | |
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IRF6710S2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 12A DIRECTFET | - | 0 | Dettagli |
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IRF6711STR1PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ | 0 | Dettagli | |
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IRF6711STRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ | 0 | Dettagli |