IRF6626TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IRF6626TR1PBF P1
IRF6626TR1PBF P2
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Infineon Technologies ~ IRF6626TR1PBF

Numero di parte
IRF6626TR1PBF
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IRF6626TR1PBF
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 72A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2380pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 16A, 10V
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore DIRECTFET™ ST
Pacchetto / caso DirectFET™ Isometric ST

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