IRF6626TR1PBF

MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
IRF6626TR1PBF P1
IRF6626TR1PBF P2
IRF6626TR1PBF P1
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Infineon Technologies ~ IRF6626TR1PBF

Artikelnummer
IRF6626TR1PBF
Hersteller
Infineon Technologies
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 16A DIRECTFET
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - Einzeln
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Artikelnummer IRF6626TR1PBF
Teilstatus Obsolete
FET Typ N-Channel
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain auf Source-Spannung (Vdss) 30V
Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C 16A (Ta), 72A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.35V @ 250µA
Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 2380pF @ 15V
Vgs (Max) ±20V
FET-Eigenschaft -
Verlustleistung (Max) 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs 5.4 mOhm @ 16A, 10V
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Surface Mount
Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ ST
Paket / Fall DirectFET™ Isometric ST

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