IPP11N03LA

MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
IPP11N03LA P1
IPP11N03LA P1
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Infineon Technologies ~ IPP11N03LA

Numero di parte
IPP11N03LA
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPP11N03LA
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 25V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1358pF @ 15V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11.5 mOhm @ 30A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3-1
Pacchetto / caso TO-220-3

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