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| Numero di parte | IPP100N06S2L05AKSA2 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 100A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5660pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.7 mOhm @ 80A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | PG-TO220-3-1 |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPP100N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP100N04S204AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP100N04S2L03AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP100N04S4H2AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A TO220-3-1 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N06S205AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP100N06S205AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP100N06S2L05AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N06S3-03 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 | 0 | Dettagli | |
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IPP100N06S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 100A TO-220 | 0 | Dettagli |