IPP023NE7N3G

MOSFET N-CH 75V 120A TO220
IPP023NE7N3G P1
IPP023NE7N3G P1
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Infineon Technologies ~ IPP023NE7N3G

Numero di parte
IPP023NE7N3G
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
MOSFET N-CH 75V 120A TO220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte IPP023NE7N3G
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2.3 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.8V @ 273µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 206nC @ 10V
Vgs (massimo) ±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14400pF @ 37.5V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 300W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PG-TO220-3
Pacchetto / caso TO-220-3

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