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| Numero di parte | IPP023NE7N3 G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 120A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.8V @ 273µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 206nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 37.5V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 300W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 100A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Pacchetto / caso | TO-220-3 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPP020N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 29A TO220-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPP020N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | 405 | Dettagli | |
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IPP023N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 90A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP023N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP023N10N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP023NE7N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | 0 | Dettagli | |
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IPP023NE7N3G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | - | 6845 | Dettagli |
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IPP023NE7N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO220 | - | 10226 | Dettagli |
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IPP024N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP024N06N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP027N08N5AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO220-3 | 0 | Dettagli | |
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IPP028N08N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 80V 100A TO220-3 | 300 | Dettagli |