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| Numero di parte | IPD60R1K0CEATMA1 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 4.3A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 130µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 100V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 37W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-3 |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
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IPD60R145CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | HIGH POWERNEW | - | 39617 | Dettagli |
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IPD60R170CFD7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | - | 42887 | Dettagli |
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IPD60R180C7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD60R180P7ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 18A TO252-3 | - | 0 | Dettagli |
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IPD60R180P7SAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 0 | Dettagli |
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IPD60R180P7SE8228AUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | - | 87098 | Dettagli |
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IPD60R1K0CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD60R1K0CEAUMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | 0 | Dettagli | |
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IPD60R1K4C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD60R1K4C6ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD60R1K5CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | 0 | Dettagli | |
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IPD60R1K5CEAUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 5A TO252 | 0 | Dettagli |