IPD60R1K0CEATMA1

MOSFET N-CH 600V TO-252-3
IPD60R1K0CEATMA1 P1
IPD60R1K0CEATMA1 P1
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Infineon Technologies ~ IPD60R1K0CEATMA1

Número de pieza
IPD60R1K0CEATMA1
Fabricante
Infineon Technologies
Descripción
MOSFET N-CH 600V TO-252-3
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - FET, MOSFET - Simple
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Número de pieza IPD60R1K0CEATMA1
Estado de la pieza Not For New Designs
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drene a la fuente de voltaje (Vdss) 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 4.3A (Tc)
Voltaje de conducción (Rds máx. Encendidos, Rds mínimos activados) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 130µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs 13nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 280pF @ 100V
Vgs (Max) ±20V
Característica FET -
Disipación de potencia (Máx) 37W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1 Ohm @ 1.5A, 10V
Temperatura de funcionamiento -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete de dispositivo del proveedor TO-252-3
Paquete / caja TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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