F4100R12KS4BOSA1

IGBT MODULE VCES 1200V 100A
F4100R12KS4BOSA1 P1
F4100R12KS4BOSA1 P1
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Infineon Technologies ~ F4100R12KS4BOSA1

Numero di parte
F4100R12KS4BOSA1
fabbricante
Infineon Technologies
Descrizione
IGBT MODULE VCES 1200V 100A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- F4100R12KS4BOSA1 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
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Numero di parte F4100R12KS4BOSA1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Three Phase Inverter
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 130A
Potenza - Max 660W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.75V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 6.8nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore Module

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